4月9日，上交所官網(wǎng)披露，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱拉普拉斯）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請已在3月27日獲批生效。
拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目以及補充流動資金。其中，光伏和半導體兩個項目投資總額分別為7.70億元、7.98億元，擬使用募集資金投入金額均為6億元。
作為一家高效光伏電池片核心工藝設備及解決方案提供商，拉普拉斯主營業(yè)務為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導體分立器件設備和配套產(chǎn)品及服務，其半導體分立器件設備主要包括氧化、退火、鍍膜和釬焊爐設備等一系列產(chǎn)品。
據(jù)悉，在半導體分立器件領域，拉普拉斯相關設備已完成向比亞迪、基本半導體的導入工作。其中，基本半導體專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括SiC二極管和MOSFET芯片、汽車級SiC功率模塊、功率器件驅動芯片等，廣泛用于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領域。
目前，針對火熱的SiC產(chǎn)業(yè)，拉普拉斯已推出了相關設備。招股書顯示，拉普拉斯半導體分立器件設備產(chǎn)品包括SiC基半導體器件用超高溫氧化爐和SiC基半導體器件用超高溫退火爐。其中，SiC基半導體器件用超高溫氧化爐用于SiC的高溫氧化工藝，高溫下使硅片表面發(fā)生化學反應形成氧化膜，從而起到鈍化、緩沖隔離、保護等作用；SiC基半導體器件用超高溫退火爐用于SiC的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。
業(yè)績方面，招股書顯示，報告期內（2021年度、2022年度及2023年度），受益于新型高效光伏電池片產(chǎn)業(yè)化進展，拉普拉斯經(jīng)營規(guī)模和盈利水平均呈現(xiàn)出快速增長的趨勢，其營收分別為1.04元、12.67億元及29.66億元，扣非歸母凈利潤分別為-0.66億元、1.08億元及3.59億元。
拉普拉斯表示，其半導體分立器件設備目前正處于客戶導入和驗證階段，報告期內的收入為0萬元、564.60萬元及1,714.40萬元，半導體分立器件設備業(yè)務處于起步階段、規(guī)模較小，尚未形成持續(xù)性、穩(wěn)定性和規(guī)?；匿N售收入。（集邦化合物半導體Zac整理）
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