3月14日，據(jù)日經(jīng)網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將于4月開始在熊本縣菊池市建設(shè)新SiC廠房。
三菱電機(jī)將投資約1,000億日元（折合人民幣約48.56億元）來生產(chǎn)具有高節(jié)能性能的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體，該廠房計劃于2026年4月投入運(yùn)營。三菱電機(jī)表示，與2022年相比，公司2026年的晶片產(chǎn)能將擴(kuò)大約5倍。
據(jù)介紹，新大樓共六層，總建筑面積約42,000平方米。它具備生產(chǎn)直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶圓的功率半導(dǎo)體的前端工藝。所有的工序?qū)⒔尤胱詣虞斔拖到y(tǒng)，打造高效率生產(chǎn)線。三菱電機(jī)計劃根據(jù)不斷增長的需求逐步提高產(chǎn)能。
在當(dāng)天舉行的奠基儀式上，三菱電機(jī)高級執(zhí)行官、半導(dǎo)體和器件部門總經(jīng)理Masayoshi Takemi強(qiáng)調(diào)：“功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)脫碳社會方面發(fā)揮重要作用。作為一家專門生產(chǎn)SiC晶片的新工廠，我們也在考慮節(jié)能節(jié)水事宜”。
在電動汽車（EV）普及的背景下，三菱電機(jī)決定建設(shè)新工廠，是為了滿足市場對功率半導(dǎo)體日益增長的需求。
文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯
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