12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。
據(jù)悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產(chǎn)業(yè)科研及中試平臺。該總部園區(qū)將利用九峰山實驗室的工藝產(chǎn)線和檢測能力等資源，重點突破設計、設備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)。
此外，光谷發(fā)布了九峰山科技園產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，以九峰山實驗室為核心，規(guī)劃建設九峰山科技園，打造化合物半導體產(chǎn)業(yè)高地。根據(jù)規(guī)劃，到2035年，九峰山科技園全面建成，形成完整化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈。目前已有天工芯測檢測中心項目、芯導傳能等6個項目團隊明確入駐上述園區(qū)意愿，潔凈室廠房需求達1.7萬平方米。除該總部園區(qū)外，圍繞九峰山科技園及周邊，光谷還布局了化合物半導體學院。
目前，以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料因其優(yōu)異性能，得到了廣泛應用，發(fā)展前景光明，各地政府紛紛出臺政策，大力支持相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
近日，湖北省印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動方案（2023—2025年）》，提出到2025年，湖北省將建成全國重要的化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地等產(chǎn)業(yè)集群。
與此同時，河北印發(fā)通知，將實施若干措施加快第三代半導體等行業(yè)發(fā)展。其中包括：對被評定為國家制造業(yè)單項冠軍企業(yè)或單項冠軍產(chǎn)品的第三代半導體企業(yè)，給予200萬元一次性資金支持；在第三代半導體關鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領域組織實施一批技術改造項目，積極爭取將在建和擬建第三代半導體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫等。
據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 全球SiC功率半導體市場分析報告》數(shù)據(jù)顯示，2022年全球SiC功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%；2022年全球GaN功率市場規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達13.3億美元，CAGR達65%。未來，在各方支持下，全國各地有望形成更多化合物半導體產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。（集邦化合物半導體Zac整理）
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