12月4日，時(shí)代電氣在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底可以完成。
資料顯示，時(shí)代電氣圍繞技術(shù)與市場(chǎng)，形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、電力電子器件、汽車電驅(qū)、工業(yè)電氣、海工裝備等領(lǐng)域。
根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。
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SiC MOSFET可用于新能源汽車主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等部件中，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，SiC MOSFET正在加速上車，市場(chǎng)需求日益增長(zhǎng)，這對(duì)SiC器件廠商的SiC芯片產(chǎn)能提出了越來(lái)越高的要求，投資擴(kuò)產(chǎn)成為各大廠商的共識(shí)。
同時(shí)，降本增效也成為SiC企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著時(shí)代電氣SiC芯片產(chǎn)能提升，形成規(guī)模效應(yīng)后有助于單片芯片成本下降，從4英寸升級(jí)為6英寸也是降本舉措，因?yàn)橐r底尺寸較大，單位襯底可以制造芯片的數(shù)量就較多，單片芯片成本就會(huì)有一定程度的降低。
時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，目前處于應(yīng)用推廣階段。SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，目前正在整車廠送樣驗(yàn)證階段。時(shí)代電氣SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn)，一定程度上將為該公司相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模推廣應(yīng)用做好產(chǎn)能準(zhǔn)備。
投建項(xiàng)目短期來(lái)看會(huì)增加公司的資本支出，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看對(duì)公司的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)均會(huì)有積極作用，實(shí)施SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目，時(shí)代電氣提升產(chǎn)能的同時(shí)，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽車領(lǐng)域快速發(fā)展大趨勢(shì)，獲得更多與車企合作機(jī)會(huì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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