在近日召開的“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”上，北京鎵和半導體有限公司（下文簡稱“鎵和半導體”）推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。
在鎵和半導體展臺上，現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸（100）（001）（-201）三種晶面單晶襯底，UID和摻Sn，以及4英寸100面單晶襯底等樣品實物，這些產(chǎn)品初步形成體系化格局。
鎵和半導體總經(jīng)理助理吳岳先生表示：北京鎵和在國內(nèi)首次發(fā)布4英寸（100）面氧化鎵單晶襯底參數(shù)，并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；同時宣布該公司已經(jīng)完全具備提供“多規(guī)格氧化鎵單晶產(chǎn)品；多規(guī)格氧化鎵外延產(chǎn)品；多用途氧化鎵專用設備；定制化樣品及技術服務”能力。這是國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)里程碑式的重大進展。
據(jù)了解，北京鎵和半導體有限公司是專業(yè)從事氧化鎵材料、相關器件的研發(fā)及其應用的高科技企業(yè)。
氧化鎵作為新一代的半導體材料，擁有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、導電特性良好等特點。與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵的生產(chǎn)過程能夠使用常壓下的液態(tài)熔體法，降低了生產(chǎn)成本，同時具備高質(zhì)量和高產(chǎn)量的優(yōu)勢。
在性能參數(shù)上，氧化鎵幾乎在所有方面都超越了目前市場上火熱的碳化硅，尤其在禁帶寬度和擊穿場強方面表現(xiàn)突出，使其在大功率和高頻率應用中具有顯著優(yōu)勢。因此，氧化鎵在通信、雷達、航空航天、高鐵動車、新能源汽車等領域有著巨大的應用潛力。
根據(jù)Flosfia的預測，到2025年，氧化鎵功率器件市場規(guī)模將開始超過氮化鎵，2030年將達到15.42億美元（約100億元人民幣），占碳化硅的40%，是氮化鎵的1.56倍。
目前，氧化鎵市場基本是由日本的Novel Crystal Technology（NCT）和Flosfia兩大巨頭壟斷。雖然中國起步比較晚，但是通過近幾年的積極布局，國內(nèi)的氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈逐漸走向成熟。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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