除了每日推送有關化合物半導體市場的熱點文章，我們也整理了上周行業(yè)內(nèi)的一些看點作為拓展：
東芝推出 SiC MOSFET 新品
東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款產(chǎn)品，包括5款1200V和5款650V產(chǎn)品。
source：東芝半導體
這些新一代MOSFET內(nèi)置了與SiC MOSFET內(nèi)部PN結二極管并聯(lián)的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD），可提高可靠性。新產(chǎn)品開關損耗約降低約20%，有助于提高設備效率。此外，由于柵極驅動電路設計簡單，可防止開關噪聲引起的故障。
據(jù)悉，東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗，適用于大功率且高效、高功率密度的各類應用，如開關電源（數(shù)據(jù)中心、服務器、通信設備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動汽車充電站等。
來源：東芝半導體官方公眾號
氮矽科技推出全新低壓GaN集成芯片
氮矽科技推出了一款具有工業(yè)級可靠性的低100V GaN集成產(chǎn)品DXC6010S1C。
據(jù)悉，氮矽科技DXC6010S1C是一款驅動集成GaN芯片，該芯片耐壓100V，內(nèi)部集成了一顆增強型低壓硅基氮化鎵（GaN-on-Si）和單通道高速驅動器。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無反向恢復電荷，并且導通電阻極低。為最高功率密度應用提供超小型化的解決方案。
DXC6010S1C適用于多種場景，如高頻高功率密度降壓轉換器、DC/DC轉換、AC/DC充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器、電機驅動器和D類音頻放大器等。它也適用于AI、服務器、通信、數(shù)據(jù)中心等應用場景，特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶外電源相關應用。
信息來源：充電頭網(wǎng)
士蘭微：控股股東擬1000萬至2000萬元增持股份
士蘭微于17日發(fā)布公告稱，控股股東杭州士蘭控股有限公司擬自本公告披露之日起6個月內(nèi)通過上海證 券交易所允許的方式（包括但不限于集中競價、大宗交易等）增持公司股份， 增持金額為不低于人民幣1000萬元且不超過人民幣2000萬元（以下簡稱“本次增持計劃”）。
本次增持價格不超過30 元/股，資金來源為士蘭控股自有資金 及自籌資金。
信息來源：士蘭微官網(wǎng)
基本半導體獲得“功率模塊”專利授權
天眼查顯示，深圳基本半導體有限公司“功率模塊”專利獲授權，授權公告號為CN219832642U，授權公告日為10月13日。
source:國家知識產(chǎn)權局
據(jù)摘要介紹，本實用新型涉及半導體設備技術領域，具體是涉及功率模塊，包括：散熱組件以及功率組件，所述散熱組件貼設在所述功率組件的底部，所述散熱組件一體成型，所述散熱組件內(nèi)部具有腔體，所述散熱組件的兩側分別設有進液口以及出液口，所述進液口和所述出液口分別與所述腔體連通，所述腔體內(nèi)部設有多個散熱針翅，所述腔體靠近所述進液口設有用于引導冷卻液從所述進液口均勻分流至所述腔體的第一導流槽，所述腔體靠近所述出液口設有用于引導所述冷卻液從所述腔體匯流至所述出液口的第二導流槽。
本實用新型使得冷卻液由進液口進入后可以均勻地通過整個腔體，從而達到對功率模塊所有芯片的均勻散熱效果；散熱針翅也進一步提高了提高散熱效果。
來源：國家知識產(chǎn)權局
美企Axcelis宣布向日本SiC企業(yè)交付Purion EXE Power系列離子注入機
美企Axcelis于18日發(fā)布公告稱，公司的Purion EXE SiC Power系列8英寸高能離子注入機已向日本領先的SiC功率器件芯片制造商發(fā)貨。該系列產(chǎn)品將用于汽車用SiC功率器件的大批量生產(chǎn)。
據(jù)悉，離子注入是IC制造過程中最關鍵的步驟之一，Axcelis致力于離子注入系統(tǒng)的設計、制造以及在離子注入系統(tǒng)生命周期內(nèi)提供支持服務。
信息來源：Axcelis官網(wǎng)
TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》，聚焦中國市場發(fā)展，重點分析供應鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展情況及主要廠商動態(tài)。以下為報告目錄：
