近日據EeNews Europe報道，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer近期在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產應用。
由此可見，英飛凌SiC晶圓的尺寸升級和產能建設都在穩(wěn)步推進當中，未來幾年，將實現較大進展。
據Wawer介紹，在2001年，英飛凌比Cree早兩個月推出了首款SiC二極管。公司早期開發(fā)是圍繞JFET進行的，因為柵極氧化物可靠性問題使公司認為這是正確的出路。隨后SiC MOSFET面世，英飛凌在這方面起步較晚。
盡管Wawer認為英飛凌在SiC MOSFET方面并非先行者，但在整個SiC賽道，英飛凌似乎進展相當迅速。SiC批量市場目前以1200V產品為主，但英飛凌目前已開發(fā)3300V SiC部件。而且英飛凌對公司在2025財年的SiC營收，將提前實現10億歐元的目標充滿了信心。
圖片來源：拍信網正版圖庫
英飛凌的信心來源于多個方面，其中包括對SiC未來發(fā)展?jié)摿Φ母兄a能方面的大手筆擴建、將多個領域頭部客戶收入囊中、對未來市場份額的樂觀預估。
SiC未來發(fā)展?jié)摿薮笠殉蔀樾袠I(yè)共識。英飛凌預計在本十年內，全球電網的年度投資將從3000億歐元增加到6000億歐元，而在這一領域，基于功率半導體的需求不斷增加，除IGBT外，現在客戶也在考慮SiC。同時，英飛凌還看到了火車牽引市場對SiC的需求，并正在向客戶提供第一個3.3kV模塊的樣品。
產能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產能，有消息稱，英飛凌將建造世界上最大的8英寸SiC功率芯片廠。值得一提的是，該擴建計劃得到了英飛凌客戶的大力支持，包括汽車和工業(yè)應用領域約50億歐元訂單合同以及約10億歐元的預付款，其中汽車領域客戶包括福特、上汽和奇瑞，可再生能源領域客戶包括SolarEdge和中國三大光伏和儲能系統(tǒng)公司，這表明客戶對英飛凌穩(wěn)健發(fā)展的信心。此外，英飛凌和施耐德電氣還就產能預留達成一致。
英飛凌預計，對于制造的投入將支持該公司在2030年前實現約30%的SiC市場份額目標。
SiC與IGBT相比具有非常多的優(yōu)勢，比如SiC開關損失要比IGBT低得多。只不過，成本問題在一定程度上制約了SiC的推廣普及，但隨著8英寸逐步量產，成本問題會得到較好的緩解。正在向8英寸快速轉換的英飛凌，有望憑借降本增效占據更多市場份額。（集邦化合物半導體Zac整理）
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