9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。
會上，多個超百億元產(chǎn)業(yè)項目簽約，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果，同時宣布一期項目竣工投產(chǎn)。
此次集中簽約的項目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，包括三晶第三代半導體精密裝備及材料產(chǎn)業(yè)化項目等。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
會上，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）平臺成果發(fā)布，涉及SiC MOSFET、功率模塊等關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)悉，該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產(chǎn)品方向，從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個方面，聯(lián)合生態(tài)伙伴共同攻關(guān)。
當前，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項目已經(jīng)竣工投產(chǎn)，隨著一期項目投運，二期項目的建設(shè)也排上日程，媒體報道二期項目將于2024年開建，規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。
（文：全球半導體觀察）
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