近日，鼎鎵半導(dǎo)體宣布了其基于第三代半導(dǎo)體的大功率深紫外LED芯片的研發(fā)項(xiàng)目進(jìn)入2023年度浙江南湖區(qū)科技計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目名單。
官方消息顯示，鼎鎵半導(dǎo)體是一家以第三代半導(dǎo)體外延片制備、芯片設(shè)計(jì)及相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)為主的研發(fā)先導(dǎo)性科技企業(yè)，主要產(chǎn)品是以第三代半導(dǎo)體材料為主的GaN紫外光電半導(dǎo)體芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探測(cè)器、氮化鎵功率芯片系列。
2022年1月，鼎鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首張6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)流片，完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試，將傳統(tǒng)的50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價(jià)格的三分之一，同時(shí)將高功率固態(tài)半導(dǎo)體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>
據(jù)介紹，鼎鎵半導(dǎo)體在普通藍(lán)寶石襯底的基礎(chǔ)上，引入了全新的半導(dǎo)體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式，通過(guò)超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導(dǎo)體化合物材料優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷，突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制，實(shí)現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。
經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，外延一致性達(dá)到了97%，峰值波長(zhǎng)在265nm，輸出光功率不低于1500a.u.，核心buffer層厚度突破了4μm。
目前，鼎鎵半導(dǎo)體已獲得多項(xiàng)發(fā)明與實(shí)用新型專利，產(chǎn)品主要應(yīng)用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味，涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領(lǐng)域。
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